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  HSPM-07RT室溫永磁鐵霍爾測試系統由高精度霍爾測試儀、室溫永磁鐵夾具平台、測試電腦及軟件組成，可在固定磁場下實現霍爾效應的測量，系統結構桌面式結構設計、體積小，測試效率高，是實驗室快速檢測和工廠質檢的不二選擇。系統有77K液氮單點選件，给予樣品在77K低溫下完成霍爾效應測量。

  系統採用科學合理的共地設計，內部電學信號線全部採用三同軸線纜，保障了高阻半導體材料的測量，可以準確測量出樣品的的載流子濃度遷移率、電阻率、霍爾係數等重要參數。室溫永磁鐵夾具平台，可以輕鬆移動和翻轉磁場，能同時滿足快速霍爾和直流霍爾測試，採用PCB插拔樣品卡設計，兼顧范德堡和霍爾巴樣品。

系統特點：
• 磁場優於 0.7T（室溫測量）；磁場優於0.5T（液氮單點選件）
• 永磁鐵顺利获得滑軌移動，可以輕鬆翻轉，同時兼顧快速霍爾和直流霍爾測試
• 簡單的插拔樣品卡設計，可實現快速方便的樣品處理，兼顧霍爾巴和范德堡樣品的霍爾測試
• 樣品卡包含彈簧鈹銅探針四探針樣品卡、折彎鎢探針四探針樣品卡和焊接樣品卡，滿足不同樣品測試需求
• 科學合理的共地和三同軸結構設計，保障了系統高阻測試性能，電阻可至100GΩ
• 測試腔有氣路閥門，可通入氮氣、氬氣進行保護，也可抽取真空
• 可增添77K低溫選件，測試液氮單點溫度下的霍爾參數

測試材料：
• 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、矽鍺合金等
• 光伏材料/太陽能電池：A矽（單晶矽、非晶矽）、CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等
• 有機材料：OFET、OLED等
• 透明導電金屬氧化物TCO：ITO、AZO、ZnO、IGZO（銦鎵鋅氧化物）等
• 半導體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二維材料：石墨烯、BN、MoS2等

參數和指標：