永磁鐵室溫探針台霍爾測試系統HSPM-05PS
HSPM-05PS室溫探針霍爾測試系統為8英寸待測樣品、器件给予了一個垂直磁場環境。採用多孔分區控制氣體吸附固定,能自動控制永磁鐵的前後運動和N.S極翻轉,並且能精準定位,磁場大小0.5T 。
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HSPM-05PS室溫探針霍爾測試系統為8英寸待測樣品、器件给予了一個垂直磁場環境。採用多孔分區控制氣體吸附固定,能自動控制永磁鐵的前後運動和N.S極翻轉,並且能精準定位,磁場大小0.5T 。
HSPM-05PS室溫探針台霍爾測試系統可以為精密微小(納米級)的微電子器件给予一個固定磁場的測試環境,顺利获得顯微鏡將被測樣品放大,用高精度微探針進行扎針,外部連接霍爾測量儀可進行霍爾測試和分析。
HSPM-05PS室溫探針霍爾測試系統為8英寸待測樣品、器件给予了一個垂直磁場環境。外部連接其他電測儀表可在室溫下對晶片、晶圓和器件進行非破壞電學測試,比如不同磁場下電流、電壓、電阻等電學信號等。
系統特點:
•穩定的雙位移調節系統,可以調節樣品座和探針臂的位移
•樣品座可以放置8英寸的晶圓樣品,採用多孔分區控制氣體吸附固定。
•能自動控制永磁鐵的前後運動和N.S極翻轉,並且能精準定位,磁場大小0.5T
•可安裝6個探針臂
•探針臂採用磁鐵吸附,可任意移動,並且可以三維微調操作方便,扎針精準,四個探針臂的探針可以扎到樣品的任意位置。
•探針臂採用三同軸線纜和三同軸接頭,漏電流小,在100fA以內
•CCD放大倍數為180倍,工作距離為100mm
測試材料:
• 熱電材料:碲化鉍、碲化鉛、矽鍺合金等
• 光伏材料/太陽能電池:(A矽(單晶矽、非晶矽)、CIGS(銅銦鎵硒)、碲化鎘、鈣鈦礦等)
• 有機材料:(OFET、OLED)
• 透明導電金屬氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnO、IGZO(銦鎵鋅氧化物)等)
• 半導體材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二維材料:石墨烯、BN、MoS2等
參數和指標:
標準電阻範圍 | 10mΩ-100GΩ |
遷移率 | 10-2-106cm2/VS |
載流子濃度 | 8x102-8x1023/cm3 |
霍爾電壓 | 解像度為 1μV |
電壓激勵範圍 | 100nV ~ 10V |
電流激勵範圍 | 10pA ~ 100mA |
測試方法 | 范德堡或霍爾巴 |
樣品尺寸 | 200mm |
樣品接觸方式 | 三維精細位移探針臂扎針,最小滿足 3μm電極扎針 |
樣品溫度 | 室溫 |
樣品環境 | 大氣,可選氮氣氛圍 |
磁場 | 0.5T |
磁場調節方式 | 電動位移及翻轉 |
磁鐵間隙 | 30mm |
磁場均勻區 | 10mm*10mm*10mm優於5% |
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