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電磁鐵變溫變場探針台霍爾測試系統HSEM-06PS

電磁鐵變溫變場探針台霍爾測試系統HSEM-06PS

HSEM-06PS室溫變場探針台霍爾測試系統可以放置4英寸的晶圓樣品,採用多孔分區控制氣體吸附固定,能给予可變的磁場環境,磁場大小±0.6T ,可安裝6個探針臂。外部連接其他電測儀表可在室溫下對晶片、晶圓和器件進行非破壞電學測試,比如不同磁場下電流、電壓、電阻等電學信號等。

電磁鐵變溫變場探針台霍爾測試系統HSEM-06PS產品概述

  HSEM-06PS室溫變場探針台霍爾測試系統為4英寸待測樣品、器件给予了一個垂直可變磁場環境。外部連接其他電測儀表可在室溫下對晶片、晶圓和器件進行非破壞電學測試,比如不同磁場下電流、電壓、電阻等電學信號等。


系統特點:

• 樣品座可以放置4英寸的晶圓樣品,採用多孔分區控制氣體吸附固定。(可定製其他尺寸) 
• 能给予可變的磁場環境,磁場大小±0.6T 
• 可安裝6個探針臂 
• 探針臂採用磁鐵吸附,可任意移動,並且可以三維微調操作方便,扎針精準,四個探針臂的探針可以扎到樣品的任意位置。 
• 探針臂採用三同軸線纜和三同軸接頭,漏電流小,在100fA以內 
• CCD放大倍數為180倍,工作距離為100mm


測試材料:

• 熱電材料:碲化鉍、碲化鉛、矽鍺合金等
• 光伏材料/太陽能電池:(A矽(單晶矽、非晶矽)、CIGS(銅銦鎵硒)、碲化鎘、鈣鈦礦等)
• 有機材料:(OFET、OLED)
• 透明導電金屬氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnO、IGZO(銦鎵鋅氧化物)等)
• 半導體材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二維材料:石墨烯、BN、MoS2等

電磁鐵變溫變場探針台霍爾測試系統HSEM-06PS技術參數

參數和指標:

標準電阻範圍
10mΩ-100GΩ
遷移率
10-2-106cm2/VS
載流子濃度
8x102-8x1023/cm3
霍爾電壓
解像度為 1μV
電壓激勵範圍
100nV ~ 10V
電流激勵範圍
10pA ~ 100mA
測試方法
范德堡或霍爾巴
樣品尺寸
50mm或100mm
樣品接觸方式
三維精細位移探針臂扎針,滿足 3μm電極扎針
樣品溫度
室溫
樣品環境
大氣,可選氮氣氛圍
磁場
±0.6T
磁場調節方式
自動
磁鐵間隙
30mm
磁場均勻區
10mm*10mm*10mm優於5%

可選配件